SI8817DB-T2-E1,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.9 A, 0.061 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009157204
- Артикул
- SI8817DB-T2-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- SI8
- Высота
- 0.65 mm
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | SI8 |
| Высота | 0.65 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 22 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | MicroFoot-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Время нарастания | 20 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 61 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 52 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.061 Ом |