SI8810EDB-T2-E1, 20V 2.1A 72mOhm@4.5V,1A 500mW 900mV@250uA N Channel BGA-4 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062426817
- Артикул
- SI8810EDB-T2-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.11
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- SI8
- Высота
- 0.65 mm
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | SI8 |
| Высота | 0.65 mm |
| Ширина | 1.6 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | MicroFoot-4 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 8 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 900 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 72 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |