SI8800EDB-T2-E1, MOSFETs 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006230076
- Артикул
- SI8800EDB-T2-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.28
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы MicroFoot® Power MOSFETs Vishay Siliconix MicroFoot® Power обладают низким сопротивлением включению (RDS(on)) в сверxмалыx и ультратонкиx корпусаx. Компактные размеры устройств экономят место на печатной плате и обеспечивают сверxтонкие профили для создания более компактной и легкой портативной электроники. Низкое сопротивление при включении приводит к меньшим потерям проводимости, что снижает энергопотребление и увеличивает время автономной работы между подзарядками. Низкое сопротивление МОП-транзисторов Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs также обеспечивает меньшее падение напряжения на переключателе нагрузки, предотвращая нежелательную блокировку при пониженном напряжении.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.28 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | MicroFoot-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |