SI8499DB-T2-E1, MicroFoot-7 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017633580
- Артикул
- SI8499DB-T2-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- SI8
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 131,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | SI8 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 30 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | MicroFoot-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Время нарастания | 25 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 13 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 26 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.77 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |