SI8487DB-T1-E1, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -6,4А, 1,8/0,73Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017530996
- Артикул
- SI8487DB-T1-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- MICROFOOT® 1.6x1.6
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.03
- Gate charge
- 80nC
Цена по запросу
(от 57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | MICROFOOT® 1.6x1.6 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.03 |
| Gate charge | 80nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -6.4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 1.8/0.73W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 45mΩ |
| Drain-source voltage | -30V |
| Особенности | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.73 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |