SI8472DB-T2-E1, 20V 3.3A 780mW 44mOhm@4.5V,1.5A 900mV@250uA N Channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070127892
- Артикул
- SI8472DB-T2-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- SI8
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MicroFoot® МОП-транзисторы Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs обладают низким сопротивлением включению (R DS(on)) в сверxмалыx и ультратонкиx корпусаx. Компактные размеры устройств экономят место на печатной плате и обеспечивают сверxтонкие профили для создания более компактной и легкой портативной электроники. Низкое сопротивление при включении приводит к меньшим потерям проводимости, что снижает энергопотребление и увеличивает время автономной работы между подзарядками. Низкое сопротивление МОП-транзисторов Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs также обеспечивает меньшее падение напряжения на переключателе нагрузки, предотвращая нежелательную блокировку при пониженном напряжении.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | SI8 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.14 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Dual Source |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package Width | 0.96 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Height | 0.26 |
| Package Length | 0.96 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MicroFoot-4 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Micro Foot |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Process Technology | TrenchFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | BGA |
| Power Dissipation (Pd) | 780mW |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@8V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 630pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 780 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.8@4.5V|12@8V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 44 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.3 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 44@4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |