SI8424CDB-T1-E1, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070070921
- Артикул
- SI8424CDB-T1-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±5V
Цена по запросу
(от 57,18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-КАНАЛЬНЫЙ, 8 В, 10 А, МИКРОПОДЪЕМНИК; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 10 А; Напряжение источника стока Vds: 8 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,015 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs: 4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: 800 мВ;
Технические параметры
| Series | TrenchFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±5V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Package Type | WL-CSP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLCSP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250ВµA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W(Ta), 2.7W(Tc) |
| Supplier Device Package | 4-Microfoot |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage | 8 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.3 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 4V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | - |