N-Channel MOSFET, 16 A, 8 V 6-MicroFoot SI8416DB-T2-E1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032697752
- Артикул
- SI8416DB-T2-E1
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый N-канальный МОП-транзистор Vishay Semiconductor 8 В (D-S) 16A (Tc) мощностью 2,77 Вт (Ta), 13 Вт (Tc) для поверxностного монтажа и его применения является переключателем нагрузки с низким сопротивлением для
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | 6-MicroFoot |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | MicroFoot-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 13 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |