SI7997DP-T1-GE3, Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0045 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8459362176
- Артикул
- SI7997DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 466 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay SI7997DP представляет собой двуxканальный P-канальный МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds), равным -30 В.Напряжение затвор-исток (VGS) равно 20 В.
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.74 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Package Width | 5.89 |
| Package Height | 1.07(Max) |
| Package Length | 4.9 |
| EDA / CAD Models | SI7997DP-T1-GE3 by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SO EP |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 45W |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 40 |
| Typical Rise Time (ns) | 50|10 |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 106 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 106@10V|51@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15|60 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 80|115 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 60 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6200@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5.5@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0045 Ом |