Моя заявка (0)

SI7913DN-T1-GE3, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm

SI7913DN-T1-GE3, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009036770
Артикул
SI7913DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
Длина
3.3 mm
Серия
SI7
Channel Type
P Channel
Цена по запросу
(от 469 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

Технические параметры

Вес, г0.001
Длина3.3 mm
СерияSI7
Channel TypeP Channel
Высота1.04 mm
Ширина3.3 mm
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенностиполевая сборка
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Power Dissipation N Channel1.3Вт
Power Dissipation P Channel1.3Вт
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора24 nC
Линейка ПродукцииTrench Series
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов2 Channel
Drain Source On State Resistance N Channel0.066Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.066Ом
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности2.8 W
Другие названия товара №SI7913DN-GE3
Id - непрерывный ток утечки7.4 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Непрерывный Ток Стока, N Канал7.4А
Непрерывный Ток Стока, P Канал7.4А
Rds Вкл - сопротивление сток-исток37 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал20В
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.066 Ом

Техническая документация