Моя заявка (0)

SI7898DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 3А; Idm: 25А; 1,2Вт

SI7898DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 3А; Idm: 25А; 1,2Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8051498514
Артикул
SI7898DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.51
Power Dissipation (Pd)
1.9W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
21nC@10V
Continuous Drain Current (Id)
3A
Цена по запросу
(от 230 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 от компании Vishay Semiconductors N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Эти N-канальные (D-S) МОП-транзисторы оптимизированы для работы с ШИМ, на 100% протестированы на Rg, не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. МОП-транзисторы SI78 используются в преобразователяx постоянного тока, переключателяx первичной обмотки для постоянного/пост. тока и синxронныx выпрямителяx.

Технические параметры

Вес, г0.51
Power Dissipation (Pd)1.9W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)21nC@10V
Continuous Drain Current (Id)3A

Техническая документация