SI7898DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 3А; Idm: 25А; 1,2Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566008
- Артикул
- SI7898DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.51
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 1.9W
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 168,24 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 от компании Vishay Semiconductors N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Эти N-канальные (D-S) МОП-транзисторы оптимизированы для работы с ШИМ, на 100% протестированы на Rg, не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. МОП-транзисторы SI78 используются в преобразователяx постоянного тока, переключателяx первичной обмотки для постоянного/пост. тока и синxронныx выпрямителяx.
Технические параметры
| Вес, г | 0.51 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 1.9W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21nC@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Крутизна характеристики, S | 15 S |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 85mΩ@10V, 3.5A |