SI7898DP-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001124381
- Артикул
- SI7898DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.15 mm
- Серия
- SI7
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SI7 |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Другие названия товара № | SI7898DP-T1 |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Крутизна характеристики, S | 15 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 15 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |