Моя заявка (0)

SI7884BDP-T1-GE3, 40V 58A 7.5mOhm@16A,10V 3V@250uA null PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

SI7884BDP-T1-GE3, 40V 58A 7.5mOhm@16A,10V 3V@250uA null PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062911490
Артикул
SI7884BDP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
14 ns
Вес, г
0.14
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 от компании Vishay Semiconductors N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Эти N-канальные (D-S) МОП-транзисторы оптимизированы для работы с ШИМ, на 100% протестированы на Rg, не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. МОП-транзисторы SI78 используются в преобразователяx постоянного тока, переключателяx первичной обмотки для постоянного/пост. тока и синxронныx выпрямителяx.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:11 ns
Rise Time:14 ns
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7884BDP-GE3
Transistor Type:1 N Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:51 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:46 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 ns
Id - Continuous Drain Current:58 A
Maximum Operating Temperature:+155 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:55 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация