Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026380906
Артикул
SI7884BDP-T1-GE3
Бренд
JSMicro Semiconductor Co., Ltd
Вес, г
0.13
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
4.6W;46W
Особенности
-
Цена по запросу
(от 76,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.13
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)4.6W;46W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)77nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.54nF@20V
Continuous Drain Current (Id)58A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7.5mΩ@16A, 10V