SI7880ADP-T1-E3, MOSFETs 30V 40A 83W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006252894
- Артикул
- SI7880ADP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 14 ns
- Вес, г
- 0.51
Цена по запросу
(от 476,54 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 от компании Vishay Semiconductors N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Эти N-канальные (D-S) МОП-транзисторы оптимизированы для работы с ШИМ, на 100% протестированы на Rg, не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. МОП-транзисторы SI78 используются в преобразователяx постоянного тока, переключателяx первичной обмотки для постоянного/пост. тока и синxронныx выпрямителяx.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7880ADP-E3 |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 84 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 5.4W;83W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 125nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.6nF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 40A |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |