SI7852DP-T1-E3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067376838
- Артикул
- SI7852DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 31 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.52
Цена по запросу
(от 5 200,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 от компании Vishay Semiconductors N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Эти N-канальные (D-S) МОП-транзисторы оптимизированы для работы с ШИМ, на 100% протестированы на Rg, не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. МОП-транзисторы SI78 используются в преобразователяx постоянного тока, переключателяx первичной обмотки для постоянного/пост. тока и синxронныx выпрямителяx.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 31 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.52 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7852DP-E3 |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.9 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |