N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7850DP-T1-E3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8917717865
- Артикул
- SI7850DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5.89mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 379,52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 от компании Vishay Semiconductors N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Эти N-канальные (D-S) МОП-транзисторы оптимизированы для работы с ШИМ, на 100% протестированы на Rg, не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. МОП-транзисторы SI78 используются в преобразователяx постоянного тока, переключателяx первичной обмотки для постоянного/пост. тока и синxронныx выпрямителяx.
Технические параметры
| Width | 5.89mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.22 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | POWERPAKSO8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7850DP-E3 |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22мОм |