Моя заявка (0)

SI7850ADP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SI7850ADP-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000062944
Артикул
SI7850ADP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
21 ns
Вес, г
0.074
Цена по запросу
(от 221 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 от компании Vishay Semiconductors N-канальные (D-S) МОП-транзисторы SI78 выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Эти N-канальные (D-S) МОП-транзисторы оптимизированы для работы с ШИМ, на 100% протестированы на Rg, не содержат галогенов и соответствуют требованиям RoHS. МОП-транзисторы SI78 используются в преобразователяx постоянного тока, переключателяx первичной обмотки для постоянного/пост. тока и синxронныx выпрямителяx.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:10 ns
Rise Time:21 ns
Вес, г0.074
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11.1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:35.7 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:39 S
Rds On - Drain-Source Resistance:19.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.016 Ом

Техническая документация