Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381376
Артикул
SI7788DP-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.15
Структура
MOSFET
Особенности
-
Continuous Drain Current (Id)
120A
Цена по запросу
(от 111 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.15
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)120A
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт69
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В