Моя заявка (0)
SI7738DP-T1-GE3, MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070158612
Артикул
SI7738DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
10 ns
Вес, г
0.51
Цена по запросу
(от 1 350 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Si77 MOSFETs Vishay Si77 оснащены теxнологией SkyFET® monolite TrenchFET® Gen III и встроенными диодами Шоттки. Эти МОП-транзисторы Vishay на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS, что гарантирует надежность и производительность. МОП-транзисторы не содержат галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Размещенные в корпусе PowerPak®, эти МОП-транзисторы отличаются низким тепловым сопротивлением, компактными размерами и тонким профилем 1,07 мм, что делает иx идеальными для применений, где критически важны пространство и управление температурой.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:10 ns
Rise Time:10 ns
Вес, г0.51
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7738DP-GE3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:35 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:96 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:22 S
Rds On - Drain-Source Resistance:38 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация