SI7738DP-T1-GE3, MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026401122
- Артикул
- SI7738DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 10 ns
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si77 MOSFETs Vishay Si77 оснащены теxнологией SkyFET® monolite TrenchFET® Gen III и встроенными диодами Шоттки. Эти МОП-транзисторы Vishay на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS, что гарантирует надежность и производительность. МОП-транзисторы не содержат галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Размещенные в корпусе PowerPak®, эти МОП-транзисторы отличаются низким тепловым сопротивлением, компактными размерами и тонким профилем 1,07 мм, что делает иx идеальными для применений, где критически важны пространство и управление температурой.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7738DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 35 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 96 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |