SI7716ADN-T1-GE3, 30V 16A 13.5mOhm@10A,10V null PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026380834
- Артикул
- SI7716ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.07
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 27.7Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 49,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SI7716ADN-T1-GE3, Микросхема
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 27.7Вт |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 3.5W;27.7W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 846pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A |
| Drain Source On State Resistance | 0.0105Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 16А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13.5mΩ@10A, 10V |