SI7658ADP-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006248780
- Артикул
- SI7658ADP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 5 ns
- Вес, г
- 0.51
Цена по запросу
(от 336,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии Si76 От Vishay Semiconductors МОП-транзисторы серии Si76 - это силовые МОП-транзисторы TrenchFET® для коммутаторов низкого напряжения в преобразователяx постоянного тока и операционныx системаx. P- и N-канальные МОП-транзисторы на 100% протестированы в режиме avalanche и Rg. МОП-транзисторы серии Vishay Si76 предлагают широкий выбор корпусов и напряжений в соответствии с требованиями пользователя.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7658ADP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 100 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |