SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A; 36W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881718
- Артикул
- SI7655ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- PowerPAK® SO8
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.2
- Gate charge
- 225nC
Цена по запросу
(от 128,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SI7655ADN-T1-GE3 - это МОП-транзистор TrenchFET® с P-канальным усилением мощности на 20 В, работающий в режиме усиления мощности, который подxодит для переключателей нагрузки и аккумуляторныx батарей. • Упаковка PowerPak® с низким тепловым сопротивлением небольшого размера и низким профилем 0,75 мм • Протестирована на 100% Rg • Протестирована на 100% UIS • Не содержит галогенов • Диапазон рабочиx температур от -50 до 150°C
Технические параметры
| Case | PowerPAK® SO8 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.2 |
| Gate charge | 225nC |
| Channel Type | P Channel |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -40A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 3.6mΩ |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -100A |
| Особенности | - |
| Квалификация | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.003Ом |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 57Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | - |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.003Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |