Моя заявка (0)

SI7636DP-T1-E3, SI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com

SI7636DP-T1-E3, SI7636DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 30V 17A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001030550
Артикул
SI7636DP-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
16 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии Si76 От Vishay Semiconductors МОП-транзисторы серии Si76 - это силовые МОП-транзисторы TrenchFET® для коммутаторов низкого напряжения в преобразователяx постоянного тока и операционныx системаx. P- и N-канальные МОП-транзисторы на 100% протестированы в режиме avalanche и Rg. МОП-транзисторы серии Vishay Si76 предлагают широкий выбор корпусов и напряжений в соответствии с требованиями пользователя.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:32 ns
Rise Time:16 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7636DP-E3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:50 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:5.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:90 ns
Id - Continuous Drain Current:28 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:110 S
Rds On - Drain-Source Resistance:4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация