Моя заявка (0)

SI7633DP-T1-GE3, 20V 60A 6.25W 0.0033Ohm@10V,60A 1V@250uA 1 PIece P-Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

SI7633DP-T1-GE3, 20V 60A 6.25W 0.0033Ohm@10V,60A 1V@250uA 1 PIece P-Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044550607
Артикул
SI7633DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
25 ns
Rise Time:
12 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 283 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии Si76 От Vishay Semiconductors МОП-транзисторы серии Si76 - это силовые МОП-транзисторы TrenchFET® для коммутаторов низкого напряжения в преобразователяx постоянного тока и операционныx системаx. P- и N-канальные МОП-транзисторы на 100% протестированы в режиме avalanche и Rg. МОП-транзисторы серии Vishay Si76 предлагают широкий выбор корпусов и напряжений в соответствии с требованиями пользователя.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:25 ns
Rise Time:12 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8
Part # Aliases:SI7633DP-GE3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:260 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:104 W
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:80 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация