SI7625DN-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006240965
- Артикул
- SI7625DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI7
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 135,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI7 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7625DN-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 126 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.7W;52W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 126nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.427nF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 47 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7mΩ@15A, 10V |