SI7619DN-T1-GE3, 30V 24A 21mOhm@10V,10.5A P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026380589
- Артикул
- SI7619DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.18
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 27.8Вт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 128 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.18 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 27.8Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0175Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 24А |
| Рассеиваемая Мощность | 27.8Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0175Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 17.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 21мОм |