SI7617DN-T1-GE3, Полевой транзистор MOSFET, P CH, 30V, 35A, [POWERPAK]
![SI7617DN-T1-GE3, Полевой транзистор MOSFET, P CH, 30V, 35A, [POWERPAK]](https://static.epl-electro.ru/lib/369/DOC022369743.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000200355
- Артикул
- SI7617DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.23
- Структура
- MOSFET
- Пороговое напряжение на затворе
- 1…2.5 В
- Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
- 30
Цена по запросу
(от 88 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -13,9А, Idm: -60А, 33Вт
Технические параметры
| Вес, г | 0.23 |
| Структура | MOSFET |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |