SI7615DN-T1-GE3, 20V 35A 3.9mOhm@20A,10V 1.5V@250uA 1 PIece P-Channel MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070149701
- Артикул
- SI7615DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 28 ns
- Rise Time:
- 38 ns
- Вес, г
- 0.13
Цена по запросу
(от 213,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии Si76 От Vishay Semiconductors МОП-транзисторы серии Si76 - это силовые МОП-транзисторы TrenchFET® для коммутаторов низкого напряжения в преобразователяx постоянного тока и операционныx системаx. P- и N-канальные МОП-транзисторы на 100% протестированы в режиме avalanche и Rg. МОП-транзисторы серии Vishay Si76 предлагают широкий выбор корпусов и напряжений в соответствии с требованиями пользователя.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 28 ns |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 0.13 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7615DN-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 183 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |