SI7613DN-T1-GE3, 20V 35A 8.7mOhm@10V,17A 52.1W 2.2V@250uA P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062327781
- Артикул
- SI7613DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.18
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- SI7
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 76 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.18 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | SI7 |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 3.8W;52.1W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 87nC@10V |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.62nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 87 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52.1 W |
| Другие названия товара № | SI7613DN-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |