Моя заявка (0)

SI7613DN-T1-GE3, 20V 35A 8.7mOhm@10V,17A 52.1W 2.2V@250uA P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS

SI7613DN-T1-GE3, 20V 35A 8.7mOhm@10V,17A 52.1W 2.2V@250uA P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017609109
Артикул
SI7613DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.21
Длина
3.3 mm
Серия
SI7
Высота
1.04 mm
Цена по запросу
(от 116,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

Технические параметры

Вес, г0.21
Длина3.3 mm
СерияSI7
Высота1.04 mm
Ширина3.3 mm
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Power Dissipation (Pd)3.8W;52.1W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)87nC@10V
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокPowerPAK-1212-8
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.62nF@10V
Continuous Drain Current (Id)35A
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора87 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности52.1 W
Другие названия товара №SI7613DN-GE3
Id - непрерывный ток утечки35 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток14 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе2.2V@250uA
Минимальная рабочая температура50 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт52.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8.7mΩ@10V, 17A

Техническая документация