Моя заявка (0)
P-Channel MOSFET, 28 A, 100 V PowerPAK SO-8 SI7489DP-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030793624
Артикул
SI7489DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SI7
Fall Time:
100 ns
Rise Time:
20 ns, 160 ns
Цена по запросу
(от 870 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковый P-канальный моп-транзистор Vishay Semiconductor не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Силовой моп-транзистор TrenchFET

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SI7
Fall Time:100 ns
Rise Time:20 ns, 160 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypePowerPAK SO-8
Subcategory:MOSFETs
КорпусPowerPAKВR SO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8
Part # Aliases:SI7489DP-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:106 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns, 42 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns, 110 ns
Id - Continuous Drain Current:28 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:38 S
Maximum Continuous Drain Current28 A
Rds On - Drain-Source Resistance:41 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация