SI7489DP-T1-GE3, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 28A 5,2Вт 0,041Ом PoВтeОмPakSO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649205
- Артикул
- SI7489DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI7
- Fall Time:
- 100 ns
- Rise Time:
- 20 ns, 160 ns
Цена по запросу
(от 598,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый P-канальный моп-транзистор Vishay Semiconductor не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Силовой моп-транзистор TrenchFET
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI7 |
| Fall Time: | 100 ns |
| Rise Time: | 20 ns, 160 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | PowerPAKВR SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SI7489DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 106 nC |
| Структура | P-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns, 42 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns, 110 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 041Ом |