SI7489DP-T1-E3, MOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025485396
- Артикул
- SI7489DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI7
- Fall Time:
- 100 ns
- Rise Time:
- 20 ns, 160 ns
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор SO-8 для поверxностного монтажа Vishay - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 100 В и максимальным напряжением затвор-исток 20 В.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI7 |
| Fall Time: | 100 ns |
| Rise Time: | 20 ns, 160 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SI7489DP-E3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 106 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 5.2W;83W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 160nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns, 42 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.6nF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns, 110 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 28A |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 41mΩ@10V, 7.8A |