SI7478DP-T1-E3, MOSFETs 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025532266
- Артикул
- SI7478DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Packaging
- Cut Tape
- Technology
- Si
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.15 mm
Цена по запросу
(от 990 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Технические параметры
| Packaging | Cut Tape |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.15 mm |
| Серия | SI7 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFETs |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 5.15 mm |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases | SI7478DP-E3 |
| Product Category | MOSFETs |
| Power Dissipation | 1.9Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Drain Source On State Resistance | 0.006Ом |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.9Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Другие названия товара № | SI7478DP-E3 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.006Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.5мОм |