Транзистор, -55…+150°С, SI7469DP-T1-E3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8057778034
- Артикул
- SI7469DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Тип
- MOSFET
- Series:
- SI7
- Tradename:
- TrenchFET
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Тип | MOSFET |
| Series: | SI7 |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.23 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SI7469DP-E3 |
| Описание | P-Channel 80 V 28A(Tc)5.2W(Ta), 83.3W(Tc)Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| Упаковка | 3000 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 160 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Емкость, пФ | 4700 |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3 В |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Тип проводимости | P |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Заряд затвора, нКл | 160 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 28 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*50*50/600 |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.021 Ом |