Моя заявка (0)

SI7469DP-T1-E3, , Транзистор полевой P-канальный , -80 В, -28 А, 5.2Вт , корпус PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free)

SI7469DP-T1-E3, , Транзистор полевой P-канальный , -80 В, -28 А, 5.2Вт , корпус PowerPAK®SO-8 (Lead (Pb)-free)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024844473
Артикул
SI7469DP-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Тип
MOSFET
Series:
SI7
Tradename:
TrenchFET
Цена по запросу
(от 159 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
ТипMOSFET
Series:SI7
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.23
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусPowerPAK®SO-8 (Lead(Pb)-free)
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8
Part # Aliases:SI7469DP-E3
ОписаниеP-Channel 80 V 28A(Tc)5.2W(Ta), 83.3W(Tc)Surface Mount PowerPAK® SO-8
Упаковка3000
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:160 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Емкость, пФ4700
Напряжениепороговое затвора(Vgs th)-3 В
Особенности-
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Способ монтажаповерхностный(SMT)
Id - Continuous Drain Current:28 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Тип проводимостиP
Rds On - Drain-Source Resistance:29 mOhms
Заряд затвора, нКл160
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Диапазон рабочих температур-55…+150 °С
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А28
Максимально допустимое напряжениезатвор-исток(Vgs)±20 В
Транспортная упаковка: размер/кол-во60*50*50/600
MSL(Уровень чувствительности к влажности)1
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В