SI7465DP-T1-E3, 60V 3.2A 1.5W 64mOhm@10V,5A 3V@250uA P Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600685
- Артикул
- SI7465DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Series
- SI7
- Fall Time
- 30 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 158,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводниковый P-канальный моп-транзистор Vishay Semiconductor для поверxностного монтажа 3,2 А (Ta) и 1,5 Вт (Ta) имеет корпус с низким профилем.
Технические параметры
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Series | SI7 |
| Fall Time | 30 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 9 ns |
| Tradename | TrenchFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.51 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | SI7465DP-E3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 26 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 65 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.2A |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 16 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 64 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 64mΩ@10V, 5A |