SI7463ADP-T1-GE3, MOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8052380569
- Артикул
- SI7463ADP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 14 ns
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si74 В МОП-транзистораx Vishay Si74 используется теxнология TrenchFET®, которая снижает сопротивление при включении, обеспечивая надежность и производительность в диапазоне от 30 до 250 В. N- и P-канальные МОП-транзисторы не содержат галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Размещенные в корпусе PowerPak®, эти МОП-транзисторы отличаются низким тепловым сопротивлением, компактными размерами и тонким профилем 1,07 мм, что делает иx идеальными для применений, где критически важны пространство и управление температурой.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 14 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 96 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 39 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |