N-Channel MOSFET, 28 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SI7456DDP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8053881655
- Артикул
- SI7456DDP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 9.7 nC
- V(DS)
- 100 V
- Width
- 5.26mm
- Package
- PPak SO8
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 9.7 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Width | 5.26mm |
| Package | PPak SO8 |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 23 mOhm |
| I(D)at Tc=25°C | 27.8 A |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 35.7 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 31 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |