Моя заявка (0)

SI7454DDP-T1-GE3, 100V 21A 33mOhm@10V,10A 3V 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

SI7454DDP-T1-GE3, 100V 21A 33mOhm@10V,10A 3V 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070121212
Артикул
SI7454DDP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
9 ns
Rise Time:
13 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 137,12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:9 ns
Rise Time:13 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7454CDP-T1-GE3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:35.7 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:27.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:19 S
Rds On - Drain-Source Resistance:27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V

Техническая документация