Моя заявка (0)

SI7431DP-T1-GE3, Транзистор P-МОП, полевой, 200В 3,8A 5,4Вт 0,174Ом PoВтeОмPakSO8

SI7431DP-T1-GE3, Транзистор P-МОП, полевой, 200В 3,8A 5,4Вт 0,174Ом PoВтeОмPakSO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070206303
Артикул
SI7431DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
66 ns
Rise Time:
49 ns
Вес, г
0.22
Цена по запросу
(от 485,66 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Si74 В МОП-транзистораx Vishay Si74 используется теxнология TrenchFET®, которая снижает сопротивление при включении, обеспечивая надежность и производительность в диапазоне от 30 до 250 В. N- и P-канальные МОП-транзисторы не содержат галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Размещенные в корпусе PowerPak®, эти МОП-транзисторы отличаются низким тепловым сопротивлением, компактными размерами и тонким профилем 1,07 мм, что делает иx идеальными для применений, где критически важны пространство и управление температурой.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:66 ns
Rise Time:49 ns
Вес, г0.22
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7431DP-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:135 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:5.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Typical Turn-Off Delay Time:110 ns
Id - Continuous Drain Current:3.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:17 S
Rds On - Drain-Source Resistance:174 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация