Моя заявка (0)

SI7415DN-T1-GE3, 60V 3.6A 1.5W 65mOhm@10V,5.7A P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS

SI7415DN-T1-GE3, 60V 3.6A 1.5W 65mOhm@10V,5.7A P Channel PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026380930
Артикул
SI7415DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 196,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Vishay SI7315DN представляет собой двуxканальный P-канальный МОП-транзистор с напряжением сток-исток (Vds), равным -60 В.Напряжение затвор-исток (VGS) равно 20 В.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г0.18
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.05
Package Height1.07(Max)
Package Length3.05
EDA / CAD ModelsSI7415DN-T1-GE3 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK 1212
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураP-Channel
Standard Package NamePowerPAK 1212
Power Dissipation (Pd)1.5W
Typical Fall Time (ns)16
Typical Rise Time (ns)12
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)25nC@10V
Number of Elements per Chip1
Continuous Drain Current (Id)3.6A
Maximum Power Dissipation (mW)1500
Typical Gate Charge @ 10V (nC)15
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)15@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)12
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)22
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)5.7
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)65@10V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)65mΩ@10V, 5.7A

Техническая документация