SI7414DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881977
- Артикул
- SI7414DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.18
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 1.5Вт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 253 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.18 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25mΩ@10V, 8.7A |