SI7414DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,6А; Idm: 30А; 0,8Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566006
- Артикул
- SI7414DN-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Series
- SI7
- Fall Time
- 12 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 282 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор PowerPak-1212-8 для поверxностного монтажа Vishay - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 60 В и максимальным напряжением затвор-исток 20 В.
Технические параметры
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Series | SI7 |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 30 ns |
| Tradename | TrenchFET |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.18 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-1212-8 |
| Part # Aliases | SI7414DN-E3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 16 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.5 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 18 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 25 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11mΩ@10V, 9.8A |