SI7370DP-T1-E3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 9.6 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8358261296
- Артикул
- SI7370DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 12 ns
- Вес, г
- 0.217
Цена по запросу
(от 475 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SI73 TrenchFET® от Vishay Semiconductors Силовые МОП-транзисторы SI73 TrenchFET® выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg/UIS и не содержат галогенов. Эти силовые МОП-транзисторы SI73 идеально подxодят для использования в преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 0.217 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7370DP-T1 |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.009 Ом |