SI7336ADP-T1-E3, MOSFETs 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004728710
- Артикул
- SI7336ADP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 257,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 30A 5.4W 3.0mohm @10V
Технические параметры
| PPAP | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.51 |
| Серия | SI7 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SO EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 32 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 32 |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 2 |
| Minimum Gate Resistance (Ohm) | 0.6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5400 |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 36@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 860 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 24 |
| Время нарастания | 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.4 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 90 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.1 |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.72 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 10@4.5V |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 18 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 45 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5600@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 70 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 5.4 W |
| Другие названия товара № | SI7336ADP-T1 |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 5.4 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 415@15V |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 30 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 65 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 90 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 110 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.0мОм |