SI7326DN-T1-GE3, PowerPAK1212-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642135
- Артикул
- SI7326DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 14 ns
- Rise Time:
- 12 ns
- Вес, г
- 0.18
Цена по запросу
(от 51,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SI73 TrenchFET® от Vishay Semiconductors Силовые МОП-транзисторы SI73 TrenchFET® выпускаются в новом корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® на 100% протестированы на соответствие стандарту Rg/UIS и не содержат галогенов. Эти силовые МОП-транзисторы SI73 идеально подxодят для использования в преобразователяx постоянного тока.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 14 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 0.18 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7326DN-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -50 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 19.5mΩ@10A, 10V |